世界初!トレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功 ― 省エネルギーの鍵となる超低損失パワーデバイス実現への道を拓く ― 掲載日:2026-9-18 プレスリリース HOME chevron_right プレスリリース chevron_right 世界初!トレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功 ― 省エネルギーの鍵となる超低損失パワーデバイス実現への道を拓く ― リンク先はこちら|世界初!トレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功 ― 省エネルギーの鍵となる超低損失パワーデバイス実現への道を拓く ―