世界で初めてダイヤモンド-on-シリコン技術を用いてヘテロエピタキシャルダイヤモンド反転層チャネルMOSFETを開発! 掲載日:2020-12-8 プレスリリース HOME > プレスリリース > 世界で初めてダイヤモンド-on-シリコン技術を用いてヘテロエピタキシャルダイヤモンド反転層チャネルMOSFETを開発! リンク先はこちら|世界で初めてダイヤモンド-on-シリコン技術を用いてヘテロエピタキシャルダイヤモンド反転層チャネルMOSFETを開発!